您好!歡迎訪問石家莊卓軒電子科技有限公司網站!
新聞中心news

DC-DC變換器開關損耗對比簡要分析

來源: 發布時間:2017-04-25 23:00:23 次瀏覽

DC-DC變換器目前有軟開關和硬開關兩種不同的啟動運行方式,而MOS和IGBT在硬開關的前提下其開關損耗也是各有不同的。下面我們就分別從硬開關前提下的開通和關斷兩種情況入手,來看一下MOS和IGBT的損耗對比。

首先我們來看一下當DC-DC轉換器處于硬開關條件下時,MOS和IGBT在開通損耗方面的不同之處。由于MOSFET 的輸出電容大,器件處于斷態時,輸入電壓加在輸出電容上,輸出電容儲存較大能量。在相繼開通時這些能量全部消耗在器件內,開通損耗大。器件的開通損耗和輸出電容成正比,和頻率成正比和輸入電壓的平方成正比。而IGBT 的輸出電容比MOSFET小得多,斷態時電容上儲存的能量較小,故開通損耗較小。

接下來我們來看一下,在關斷損耗方面MOS和IGBT兩種開關的損耗情況。在該條件下,MOSFET 屬單極型器件,可以通過在施加柵極反偏電壓的方法,迅速抽走輸入電容上的電荷,加速關斷,使MOSFET 關斷時電流會迅速下降至零,不存在拖尾電流,故關斷損耗小。而IGBT 由于拖尾電流不可避免,且持續時間長(可達數微秒),故關斷損耗大。

綜合對MOS和IGBT開通、關斷情況下的損耗分析可以得出,在DC-DC變換器處于硬開關的前提條件下,MOSFET的開關損耗主要是由開通損耗引起, 而IGBT則主要是由關斷損耗引起。因此使用MOSFET作為主開關器件的電路,應該使轉換器工作于ZVS條件下,這樣在器件開通前,漏極和源極之間的電 壓先降為零,輸出電容上儲存能量很小,可以大大降低MOSFET的開通損耗。而使用IGBT作為主開關器件的電路,應該使轉換器工作于ZCS條件下,這樣 在器件關斷前,流過器件的電流先降為零,可以大大降低因拖尾電流造成的關斷損耗。

 
亚洲日韩国产AV无码无码精品_无码精品久久久天天影视_天天摸天天做天天爽水多_欧亚激情偷乱人伦小说专区