您好!歡迎訪問石家莊卓軒電子科技有限公司網站!
新聞中心news

臺積電3nm要來了?看來傳言不是空穴來風

來源: 發布時間:2017-05-19 09:05:49 次瀏覽

臺積電一年一度的技術論壇訂下周四(25)日在新竹登場,在美商應材公司材料技術獲致重大突破下,預估臺積電5nm制程量產藍圖將更加確定,預料論壇中將揭橥5nm量產時程,也將成為全球第一個對外宣布提供5nm代工服務的晶圓廠。

臺積電供應鍵透露,今年臺積電技術論壇將由共同執行長暨總經理魏哲家擔綱主持,除揭示臺積電引以為傲的7nm即將于今年底進行投片量產外,也將確立5奈米制程試產和量產時程;同時也會針對市場矚目的3nm設廠地點,提出進一步的說明。

應材昨(17)日宣布成功運用鈷金屬材料取代銅,作為半導體先進制程中進行沉積制程的關鍵材料,且獲致導電性更佳和功耗更低、讓芯片體積更小等重大突破,讓摩爾定律得以延伸推進到7奈米,甚至到5奈米和3奈米,預料將使臺積電等晶圓制程廠7奈米量產腳步加速。

美商應材研發人員昨專程來臺宣布這項重要材料創新技術,也意謂應材在半導體先進制程設備和材料運用,持續扮演領先地位,并透露包括臺積電等晶圓制造廠將先進制程推進至7奈米以下的商業化腳步,更向前邁進一大步。

應材表示,目前各大晶圓制程廠已導入在7奈米制程采用這項新的材料革新,如果成效良好,不排除可能在7奈米就可以看到導入鈷金屬取代銅制程技術變革。

應材表示,當半導體金屬沉積制程進入7奈米以下的技術節點時,鏈接芯片中數10億個晶體管的導線電路漸漸成為技術瓶頸。 一方面要擴增芯片上晶體管的數量,一方面追求系統整合芯片封裝,縮小導線進而增加晶體管密度是必然的趨勢。

但應材強調,當導線的截面積減少,導電區域的體積也減少,這會造成電阻增加,阻礙最佳效能的實現。 這種阻容遲滯有賴以創新突破技術瓶頸,包括在阻障層、內襯層微縮制程,以及運用新的材料,以利在更狹小的空間中改善導電特性。

應材強調,為了解決導線的電阻問題,用新的鈷取代傳統的銅,并運用多年累積的沉積制程技術,同時將物理氣相沉積、化學氣相沉積和原子層三種不同沉積制程技術,整合在同一設備平臺上,運用單一整合程序,制造復雜的薄膜堆棧結構。

應材指出,以鈷取代傳統銅進行沉積制程的關鍵材料,已獲致傳導性更快且功耗更低等優越性能,同時大幅節省芯片體積,芯片效能更快、體積更大。

 

亚洲日韩国产AV无码无码精品_无码精品久久久天天影视_天天摸天天做天天爽水多_欧亚激情偷乱人伦小说专区