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下一代同步整流控制技術增強電源運行參數

來源: 發布時間:2017-06-27 08:29:11 次瀏覽

在當今的高性能的電源系統設計中,確??煽啃灾陵P重要,因此高效的功能必須可以處理潛在的問題。同步整流電流反向就是這樣一個問題。這發生在電容電流(寄生效應引起的)導致MOSFET在輕負載的情況下被過早激活時– 然后反向電流從輸出電容流回同步整流器。這不僅導致系統能效受到嚴重影響,還可能會導致運行故障。

為了防止這種情況的發生,必須在系統處于輕載條件時采取措施增加延遲。自適應死區時間控制機制可以彌補寄生電感的存在,從而減輕體二極管導通的不良影響。通過這種方法,可以調整同步整流器關斷點,以保持一個恒定的死區時間,而不受當時輸出負載的影響。從而持續保持高能效和對相應的熱管理規定更少的要求(由于散熱的減少)。

得益于專有的自適應死區時間控制算法,安森美半導體的FAN6248雙MOSFET驅動器控制器IC,能夠充分解決上述挑戰。同時,它可以幫助工程師最大化電源能效,并使系統盡可能緊湊、簡單和具性價比。

 

 


該器件優化用于現代LLC諧振轉換器拓撲結構,最大限度地減少同步整流MOSFET的體二極管傳導。它通過使用一個獨特的控制方法,消除了電流反向的隱患,還可以避免同步整流誤觸發。通過兩個感測輸入,可以準確地確定MOSFET兩端的漏源電壓,從而考慮到關于次級繞組的任何不對稱或不良耦合。如果經證實死區時間太長,那么偏置電壓相應降低。從而提高MOSFET的電壓閾值,繼而使同步整流器的導通時間延長(因此縮短相關的死區時間)。反之,如果死區時間太短,則降低MOSFET的電壓閾值,從而抑制同步整流器的導通期。指定FAN6248控制器能夠提高系統的電源能效,和實現在整個負載范圍內的穩定運行(無電流反向的風險)。

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